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分立半导体
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AUIRGF65G40D0

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 DISCRETES
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数量单价合计
1
¥86.3659
86.3659
10
¥78.0717
780.717
25
¥74.3766
1859.415
100
¥64.6247
6462.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
62 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
62 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511798
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，AUIRGF65G40D0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ4685-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:23701
MMBZ5250B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.6724
100:¥0.70738
500:¥0.59212
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:23706
MMBZ5251C-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 0.225W 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:23711
BAS20-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 200 Volt 200mA 50ns 2.5A IFSM
1:¥2.147
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:23716
BZX384B22-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 0.2W 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:23721

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