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分立半导体
IRG4BC10KDPBF参考图片

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IRG4BC10KDPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥10.0683
1006.83
500
¥8.7575
4378.75
1,000
¥7.2546
7254.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.62 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
9 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001532484
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRG4BC10KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VI20100S-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Amp 100 Volt
1:¥11.2209
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.0681
1,000:¥5.3223
参考库存:28333
VS-6FR40
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 400 Volt 6.0 Amp
1:¥43.3355
10:¥35.9566
100:¥21.7412
1,000:¥21.6734
参考库存:28338
JANTX1N4469US
Semtech
分立半导体
稳压二极管 15V ZENER 1.5W
1:¥126.1758
10:¥114.7176
25:¥106.1183
50:¥100.3553
参考库存:28343
CBR1-D060
Central Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 . .
700:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:433155
BSZ076N06NS3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9212
500:¥5.2319
5,000:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:28350

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