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分立半导体
IRF6811STRPBF参考图片

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IRF6811STRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥7.0286
3514.3
4,800
¥4.9268
23648.64
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-SQ
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
74 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
11 nC
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001530224
商品其它信息
优势价格，IRF6811STRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥28.9732
100:¥25.0521
250:¥23.8204
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分立半导体
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1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.8817
参考库存:12201

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