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分立半导体
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AUIRFR5410

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.3337
3666.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
205 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.7 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
66 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001515888
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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