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IFN5911

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET Dual N-Ch JFET -25V 50mA 500mW 4mW
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数量单价合计
1
¥115.486
115.486
10
¥97.1235
971.235
100
¥89.3604
8936.04
250
¥81.4504
20362.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-78-8
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Vgs=0时的漏-源电流
40 mA
Id-连续漏极电流
5 mA
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
系列
IFN591
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
3000 uS
闸/源截止电压
- 5 V
工厂包装数量
1
零件号别名
2N5911
商品其它信息
优势价格，IFN5911的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KBJ2508G
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 800V 25A Bridge Rectifier
1:¥13.2888
10:¥12.0684
25:¥10.7576
100:¥9.6841
参考库存:6400
SB2M-M3/52T
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 2A, 1000V, GPP, STD, SM, RECT
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.6159
500:¥1.2995
参考库存:23746
ALD910023SAL
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V
1:¥27.6624
10:¥24.747
25:¥22.2836
50:¥21.6734
参考库存:2097
S2MA R2
Taiwan Semiconductor
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1:¥5.763
10:¥5.2206
100:¥3.4126
1,000:¥1.1413
7,500:¥0.73789
22,500:查看
参考库存:76999
APTC60DDAM70T1G
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Coolmos
1:¥395.5678
5:¥383.5898
10:¥372.2898
25:¥349.0796
参考库存:2251

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