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分立半导体
MMRF5014H-500MHZ参考图片

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MMRF5014H-500MHZ

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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数量单价合计
1
¥9,605.00
9605
5
¥9,451.4782
47257.391
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
P-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
350 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18 dB
输出功率
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360H-2SB
工作频率
1 MHz to 2700 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
232 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V, 0 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935345452598
单位重量
500 mg
商品其它信息
优势价格,MMRF5014H-500MHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 230V 15A 150W
1:¥27.2782
10:¥23.1311
100:¥20.0575
250:¥19.0518
参考库存:3462
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
参考库存:1179
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:38276
分立半导体
分立半导体模块 200 Amp 100 Volt 25500 Amp IFSM
1:¥403.4891
5:¥396.0311
10:¥379.7478
参考库存:35590
分立半导体
肖特基二极管与整流器 AEC-Q101 SCHOTTKY 2A 40V HALOGEN-FREE
1:¥3.3787
10:¥2.2374
100:¥1.3673
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
参考库存:16058
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