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分立半导体
CSD87503Q3E参考图片

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CSD87503Q3E

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
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库存:15,092(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.8421
58.421
100
¥4.4748
447.48
500
¥3.955
1977.5
2,500
¥2.7685
6921.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
17.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD87503Q3E
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,CSD87503Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:19820
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 50V/100mA/4.7K 47K
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:55082
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MA
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:18899
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 90V 30W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6557
参考库存:4761
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.8422
参考库存:5833
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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