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分立半导体
FCP099N65S3参考图片

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FCP099N65S3

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm,TO220 PKG
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数量单价合计
1
¥27.0522
27.0522
10
¥22.9729
229.729
100
¥19.9784
1997.84
250
¥18.9049
4726.225
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
79 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
FCP099N65S3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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