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分立半导体
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IKW30N60H3

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数量单价合计
1
¥32.9621
32.9621
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2837
2428.37
250
¥23.052
5763
500
¥20.6677
10333.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60H3FKSA1 IKW3N6H3XK SP000703042
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，IKW30N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCR 148S H6327
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:119355
UMZU6.2NT106
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 6.2V
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.62263
参考库存:17077
IKD04N60RATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
1:¥7.458
10:¥6.3619
100:¥4.8816
500:¥4.3166
2,500:查看
参考库存:9974
VS-SD200N20PC
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 2000 Volt 200 Amp
1:¥527.2806
5:¥516.8281
10:¥495.2338
25:¥479.2556
参考库存:2176
JANTX1N5530BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥177.8055
10:¥161.6691
25:¥149.5329
50:¥141.4647
参考库存:2393

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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