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分立半导体
APT40GR120B2D30参考图片

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APT40GR120B2D30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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数量单价合计
1
¥88.366
88.366
10
¥79.5294
795.294
25
¥72.4556
1811.39
50
¥67.461
3373.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
88 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
88 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
88 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT40GR120B2D30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 13 Volt 0.5W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:32671
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:32676
分立半导体
稳压二极管 2.7 Volt 0.5W 2% AUTO
1:¥2.7685
10:¥1.7967
100:¥0.88366
500:¥0.75258
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:32681
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 0.5W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.83733
500:¥0.71416
10,000:¥0.31527
20,000:查看
参考库存:32686
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:32691
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    50万现货SKU

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