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分立半导体
CSD13383F4T参考图片

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CSD13383F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
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库存:6,217(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3052
23.052
100
¥1.2656
126.56
250
¥1.2656
316.4
1,000
¥0.94468
944.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD13383F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
5.4 S
下降时间
315 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
123 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD13383F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8026
参考库存:9902
分立半导体
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥85.2133
10:¥77.4502
25:¥71.6194
50:¥67.7774
参考库存:3359
分立半导体
JFET N-Channel Switch
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:31466
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:133478
分立半导体
肖特基二极管与整流器 50V 3A
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:9005
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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