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TN5325N3-G

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¥4.3053
4.3053
10
¥4.2827
42.827
25
¥3.5708
89.27
100
¥3.2431
324.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
215 mA
Rds On-漏源导通电阻
7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N6170AUS
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参考库存:30147

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