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分立半导体
RGT8NS65DGTL参考图片

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RGT8NS65DGTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
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库存:8,213(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6614
76.614
100
¥5.8873
588.73
500
¥5.198
2599
1,000
¥4.1019
4101.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
65 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT8NS65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
4 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT8NS65D(LPDS)
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,RGT8NS65DGTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 4A, 200V, SMPC, ESD PROTECTION
6,500:¥1.6611
13,000:¥1.5481
19,500:¥1.469
参考库存:45044
分立半导体
稳压二极管
100:¥17.6732
404:¥17.6732
500:¥15.8313
1,000:¥13.3679
2,500:¥12.6786
参考库存:45049
分立半导体
整流器 100 Volt 1.0A 50ns 30A IFSM Trim Leads
9,000:¥1.1639
24,000:¥1.10627
参考库存:45054
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥1.695
24,000:¥1.5933
48,000:¥1.5707
参考库存:45059
分立半导体
SCR 400V 1A
2,000:¥2.9719
参考库存:45064
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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