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分立半导体
FGA50N100BNTD2参考图片

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FGA50N100BNTD2

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库存:6,583(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.1613
62.1613
10
¥56.1723
561.723
25
¥53.562
1339.05
100
¥46.4882
4648.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA50N100BNTD2
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA50N100BNTD2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 8A, 200V, 35NS, SINGLE RECTIFIER ISOLATED
1:¥6.9947
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥3.6838
2,000:¥2.4634
4,000:查看
参考库存:54490
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A,100V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥10.5316
10:¥9.379
25:¥8.4524
100:¥7.3902
800:¥4.5313
2,400:查看
参考库存:54495
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Switching Diode
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.30736
参考库存:54500
分立半导体
IGBT 晶体管 Ultrafast
1:¥39.9568
10:¥33.9678
100:¥29.4252
250:¥27.8884
参考库存:54505
分立半导体
桥式整流器 200V 1.5A
1,350:¥1.5707
2,700:¥1.3334
10,800:¥1.2543
25,650:¥1.1865
51,300:¥1.1526
参考库存:54510
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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