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分立半导体
APT38N60BC6参考图片

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APT38N60BC6

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
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库存:5,246(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.9408
58.9408
10
¥53.0196
530.196
25
¥48.3301
1208.2525
100
¥43.6406
4364.06
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
112 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
118 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT38N60BC6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR Input Modules - AAP DBC
1:¥300.6704
5:¥292.6813
10:¥281.3135
25:¥260.1825
参考库存:52217
分立半导体
MOSFET FETKY SO8FL 25V 35A
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,500:¥8.2942
4,500:查看
参考库存:52222
分立半导体
整流器 30A 600V 30ns Ultrafast
1:¥24.8939
10:¥20.5886
100:¥16.9839
250:¥16.4415
参考库存:5365
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A
1:¥7,150.0411
5:¥7,035.7755
参考库存:52229
分立半导体
JFET P-Channel JFET 15V 10mA 300mW 2mW
111:¥59.325
500:¥54.0931
1,000:¥47.0984
参考库存:52234
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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