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分立半导体
KSB1151YSTU参考图片

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KSB1151YSTU

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库存:17,982(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0285
50.285
100
¥3.2431
324.31
1,000
¥2.599
2599
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 0.14 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSB1151
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
1.5 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
KSB1151YSTU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,KSB1151YSTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
参考库存:61462
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
1:¥47.4826
10:¥42.8722
25:¥40.8834
100:¥35.5046
参考库存:5049
分立半导体
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥4.0115
1,000:¥3.164
3,000:¥3.164
参考库存:16591
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A 30V
1:¥4.068
10:¥2.8476
100:¥1.8871
500:¥0.91417
850:¥0.82942
参考库存:6548
分立半导体
整流器 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
1:¥1.3786
10:¥1.11418
100:¥0.43053
1,000:¥0.26894
参考库存:21225
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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