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分立半导体
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ARF463AG

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥254.8828
254.8828
5
¥243.4246
1217.123
10
¥235.8197
2358.197
25
¥216.6888
5417.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，ARF463AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SZBZX84C15LT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG .225W 15V
1:¥1.07576
10:¥1.02943
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
10,000:¥0.16159
20,000:查看
参考库存:113051
PEMT1,315
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW 2xPNP gen purpose transist
1:¥2.9154
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24,000:查看
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GBJ602-F
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桥式整流器 6.0A 200V
1:¥10.5994
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100:¥6.9495
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1,000:¥4.8364
参考库存:4940
DDTB114GU-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:13852
TK10A60W5,S5VX
Toshiba
分立半导体
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥15.7522
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:4794

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