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分立半导体
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CSD17579Q3AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.5764
257.64
250
¥2.5764
644.1
1,000
¥2.0679
2067.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
11.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17579Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
37 S
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
27.300 mg
商品其它信息
优势价格，CSD17579Q3AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:43967

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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