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分立半导体
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FQPF2N80

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数量单价合计
1
¥10.9158
10.9158
10
¥9.2999
92.999
100
¥7.1642
716.42
500
¥6.328
3164
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF2N80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.2 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格，FQPF2N80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥2.9719
25,000:¥2.8815
参考库存:45936

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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