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分立半导体
PBSS304NZ,135参考图片

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PBSS304NZ,135

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8081
38.081
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9662
1966.2
4,000
¥1.6724
6689.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-73-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
5.2 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 500 mA, 2 V
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 500 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 250 at 2 A, 2 V, 150 at 4 A, 2 V, 80 at 6 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
零件号别名
/T3 PBSS304NZ
商品其它信息
优势价格，PBSS304NZ,135的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:108295
IRFH5025TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN
1:¥22.0576
10:¥18.7467
100:¥16.2155
250:¥15.368
500:¥13.8312
4,000:¥13.8312
参考库存:14612
BAT 54-03W E6327
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diode
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:52454
IPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:6286
FDS86106
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
2,500:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:27063

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    50万现货SKU

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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