APT100GT120JRDQ4详细信息_APT100GT120JRDQ4相关参数PDF

分立半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：1,503(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	3.2 V
在25 C的连续集电极电流	123 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	570 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT100GT120JRDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
1A2G-T	Rectron	分立半导体	PDF数据手册	整流器 .6mm Ld 1A 100V GP	10,000:¥0.95259 20,000:¥0.87575 50,000:¥0.52206 100,000:¥0.43844	参考库存:32968
MM5Z27B	Rectron	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 27V 500mW SOD-523 Ze ner 2%	16,000:¥0.26894 24,000:¥0.26103	参考库存:32973
T1225T-6I	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	双向可控硅 Snubless logic level standard 12 A TRIACs	1:¥21.2101 10:¥17.9783 100:¥15.594 250:¥14.8256	参考库存:32978
HER304G-B	Rectron	分立半导体	PDF数据手册	整流器 3A 300V 50ns GP	1,500:¥1.7628 2,000:¥1.6611	参考库存:32983
1N8025	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.	5:¥3,371.9652 10:¥3,297.4304 25:¥3,169.65	参考库存:32988