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分立半导体
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FF450R07ME4_B11

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数量单价合计
1
¥1,086.3594
1086.3594
5
¥1,065.0024
5325.012
10
¥1,015.3615
10153.615
25
¥994.0045
24850.1125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
560 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R07ME4B11BOSA1 SP000725482
商品其它信息
优势价格，FF450R07ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N2907AL/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥447.367
100:¥441.2198
参考库存:48938
JANTX1N6327US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥226.1356
200:¥207.5471
参考库存:48943
JANTXV1N976DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥163.3641
200:¥149.9171
500:¥142.6964
参考库存:48948
JANTXV1N5802URS
Microsemi
分立半导体
整流器 Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
100:¥230.9833
250:¥211.9993
参考库存:48953
JANTXV1N4111C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥156.2903
200:¥143.4648
500:¥136.5492
参考库存:48958

  • 海量现货

    50万现货SKU

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