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分立半导体
NTHC5513T1G参考图片

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NTHC5513T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary
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库存:67,174(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms, 155 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.05 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTHC5513
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
3 ns, 27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns, 13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns, 33 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 7 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,NTHC5513T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Hi Voltage Low Noise
1:¥48.6352
10:¥43.4937
50:¥40.6461
100:¥38.1149
参考库存:5144
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.037Ohm typ., 62A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥85.9026
10:¥77.6875
25:¥74.0715
100:¥64.3196
参考库存:5091
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8817
1,000:¥5.424
参考库存:9648
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.35Watt 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:69650
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40 Volt 200mA Common Anode
1:¥3.2996
10:¥1.8871
100:¥1.01474
500:¥0.81473
10,000:¥0.42262
20,000:查看
参考库存:6237
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    50万现货SKU

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