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分立半导体
STGF6NC60HD参考图片

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STGF6NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:33,680(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4805
2740.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
20 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF6NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
6 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
6 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF6NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Dual 2x8A 200V FRED Pt
1:¥8.9157
10:¥7.3111
100:¥5.6048
500:¥4.8251
1,000:¥3.8081
2,000:¥3.8081
参考库存:12232
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode
1:¥161.364
5:¥155.2959
10:¥149.2278
25:¥137.1594
参考库存:5319
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥7.2998
10:¥6.3506
100:¥4.9381
1,000:¥2.9493
5,000:¥2.3956
参考库存:30181
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.5 A 40 V SCHOTTKY
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:95873
分立半导体
MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
3,000:¥6.7687
6,000:查看
参考库存:13955
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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