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分立半导体
IRFP2907PBF参考图片

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IRFP2907PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
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库存：13,766(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.488
42.488
10
¥36.1148
361.148
100
¥31.2784
3127.84
250
¥29.7416
7435.4
500
¥26.668
13334
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
209 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
410 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Automotive MOSFET
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
130 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
SP001571058
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRFP2907PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
Z0109MA 2AL2
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 1A 双向可控硅
1:¥4.8364
10:¥3.2431
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.4012
参考库存:22624
AU1PGHM3/84A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A 400V Ultrafast
1:¥4.1471
10:¥3.2205
100:¥2.3843
500:¥1.9662
3,000:¥1.3786
6,000:查看
参考库存:49096
BAS85-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200mA 30 Volt
1:¥2.9154
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.46104
参考库存:191698
STL42P6LLF6
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET P-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9043
500:¥6.1133
3,000:¥4.2714
9,000:查看
参考库存:68650
R8008ANJFRGTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS
1:¥31.9677
10:¥27.1991
100:¥23.5153
250:¥22.3627
500:¥20.0575
1,000:¥16.9048
参考库存:9202

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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