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分立半导体
SI5504BDC-T1-GE3参考图片

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SI5504BDC-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3
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数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.4184
64.184
100
¥4.9268
492.68
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A, 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms, 140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.12 W, 3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI54
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S, 3.5 S
下降时间
25 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns, 60 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 10 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 30 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,SI5504BDC-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35580
分立半导体
稳压二极管
1:¥23.278
10:¥18.6676
100:¥17.063
200:¥15.368
500:¥13.8312
参考库存:35585
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥306.6707
5:¥292.9186
10:¥283.6978
25:¥260.7136
参考库存:35590
分立半导体
整流器 D MET 3A FAST 50V
1:¥68.5458
10:¥61.698
25:¥56.1723
100:¥50.7144
参考库存:35595
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 30V 7mA
暂无价格
参考库存:35600
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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