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分立半导体
IRG7PH42UDPBF参考图片

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IRG7PH42UDPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App
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数量单价合计
1
¥105.9601
105.9601
10
¥97.4286
974.286
25
¥93.3606
2334.015
100
¥82.2188
8221.88
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
320 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001537274
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRG7PH42UDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF830A
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF830APBF
1:¥35.7306
10:¥29.6625
100:¥24.4306
250:¥23.6622
参考库存:36067
1N4772
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥659.5923
2:¥639.0828
5:¥638.9246
10:¥618.336
参考库存:36072
DMP3017SFV-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
暂无价格
参考库存:36077
SPP15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 13.4A TO220-3
1:¥29.9676
10:¥25.5154
100:¥22.0576
250:¥20.9728
参考库存:36082
1N1206R
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥282.5452
5:¥269.8666
10:¥261.4142
25:¥240.2041
参考库存:36087

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