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BSC0910NDIATMA1

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数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.0628
130.628
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
5,000
¥6.8026
34013
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms, 900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.6 nC, 30.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
42 S, 85 S
下降时间
2.4 ns, 4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 5.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
2.4 ns, 5.6 ns
零件号别名
BSC0910NDI SP000998052
商品其它信息
优势价格，BSC0910NDIATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STTH15RQ06W
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5314
500:¥5.7743
参考库存:11976
NRVTS360ETFSWFTAG
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A 60V TRENCH SCHOTTKY U8
1:¥3.7629
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
1,500:¥0.99892
参考库存:24958
V30DM60CLHM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V 30A SMPD(TO-263AC)
1:¥13.9894
10:¥11.6051
100:¥8.9948
500:¥7.91
1,000:¥6.4975
2,000:¥6.4975
参考库存:13135
RB228NS100FHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V Vr 30A Io SBD TO-263S(D2PAK) 5A
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4128
500:¥6.5427
1,000:¥5.1641
参考库存:7777
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor
1:¥1,908.8638
5:¥1,868.5906
10:¥1,828.1818
25:¥1,782.0778
50:¥1,735.8156
参考库存:3259

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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