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分立半导体
IRF6644TRPBF参考图片

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IRF6644TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs
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数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥14.7578
147.578
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.2943
5147.15
4,800
¥7.684
36883.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MN
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
10.3 A
Rds On-漏源导通电阻
10.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001563476
单位重量
87.050 mg
商品其它信息
优势价格,IRF6644TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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10:¥2.0453
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1:¥3.4578
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参考库存:15938
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