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分立半导体
FP75R12KT3参考图片

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FP75R12KT3

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数量单价合计
1
¥1,168.194
1168.194
5
¥1,145.3002
5726.501
10
¥1,091.8964
10918.964
25
¥1,069.0026
26725.065
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP75R12KT3BOSA1 SP000100443
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,FP75R12KT3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥30.962
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100:¥22.826
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暂无价格
参考库存:55506
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1:¥7.3789
10:¥6.7574
100:¥5.2206
500:¥3.8646
800:¥2.8589
2,400:¥2.8024
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分立半导体
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1:¥7.3789
10:¥6.3732
25:¥5.8308
100:¥5.0737
2,000:¥2.6555
4,000:查看
参考库存:55516
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1:¥12.0684
10:¥10.6785
25:¥9.6841
100:¥8.4524
800:¥5.1641
2,400:查看
参考库存:55521
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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