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分立半导体
IRF9530NPBF参考图片

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IRF9530NPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
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库存:34,828(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4297
64.297
100
¥4.9381
493.81
500
¥4.3618
2180.9
1,000
¥3.4465
3446.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
38.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
3.2 S
下降时间
46 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SP001570634
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF9530NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2999
10:¥7.684
100:¥5.8986
500:¥5.0737
1,000:¥4.0002
3,000:¥3.729
参考库存:34043
分立半导体
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
1,000:¥3.8646
2,500:¥3.8646
参考库存:16495
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:28667
分立半导体
整流器 200 Volt 150 Amp
1:¥201.3208
5:¥192.2582
10:¥186.2579
25:¥171.195
参考库存:4159
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
3,000:¥7.6727
参考库存:21371
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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