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分立半导体
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IRLZ24NPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB
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1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.8986
58.986
100
¥3.8081
380.81
1,000
¥3.0397
3039.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
10 nC
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001553022
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
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参考库存:38557
B190BQ-13-F
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1:¥3.0736
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100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
参考库存:9844

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