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分立半导体
STF6N62K3参考图片

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STF6N62K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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数量单价合计
1
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13.221
10
¥11.2209
112.209
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.8422
3921.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.28 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
系列
STF6N62K3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF6N62K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:95855
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