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分立半导体
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AUIRGP50B60PD1E

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT
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数量单价合计
1
¥78.8401
78.8401
10
¥71.2352
712.352
25
¥67.9243
1698.1075
100
¥59.0086
5900.86
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
390 W
最小工作温度
- 55 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511546
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，AUIRGP50B60PD1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDZX9694TS-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE200MW 8.2V TRIPLE ISOLATED
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:23483
DMN10H220LQ-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 10K
10,000:¥0.49155
20,000:¥0.46104
参考库存:39657
QPD0060
Qorvo
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
1:¥415.6253
25:¥374.0526
100:¥374.0526
参考库存:39662
APT5010LVFRG
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥206.1572
5:¥198.089
10:¥190.6423
25:¥175.1952
参考库存:8615
EMC3DXV5T5G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 50V Dual Common Base Collector NPN & PNP
8,000:¥0.69156
48,000:¥0.61472
参考库存:39669

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