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分立半导体
SIHD6N62E-GE3参考图片

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SIHD6N62E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.8817
3440.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N5418
Microsemi
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二极管 - 通用，功率，开关 UFR,FRR
1:¥117.5652
10:¥106.8867
25:¥98.8976
50:¥93.5188
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1N4625-TP
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1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:17258
2SAR544PT100
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分立半导体
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1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,000:¥1.6724
参考库存:10385
TT330N16KOF
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分立半导体
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FP75R12KE3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 75A PIM
1:¥1,168.194
5:¥1,145.3002
10:¥1,091.8964
25:¥1,068.9235
参考库存:2764

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    50万现货SKU

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