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分立半导体
STU11N65M2参考图片

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STU11N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9948
4497.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
670 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
商标名
MDmesh II Plus
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STU11N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STU11N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N7052UR-1/TR
Microsemi
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50:¥1,175.1096
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10:¥40.8043
100:¥35.3464
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2,000:查看
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50:¥1,298.596
参考库存:34802
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暂无价格
参考库存:34807

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