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分立半导体
SIHS36N50D-E3参考图片

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SIHS36N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs Super-247
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数量单价合计
1
¥53.7089
53.7089
10
¥48.4092
484.092
25
¥44.1039
1102.5975
100
¥39.7986
3979.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
83 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
68 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
89 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
SIHS36N50D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHS36N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥115.26
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100:¥109.8812
250:¥100.1971
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100:¥190.9474
250:¥175.1952
500:¥166.7428
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稳压二极管 Low Voltage Avalanche Zener
100:¥12.5995
500:¥10.9836
1,000:¥9.0626
2,500:¥8.4524
参考库存:27954
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    50万现货SKU

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