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分立半导体
SI2304BDS-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI2304BDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V
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库存:59,541(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.8928
289.28
500
¥2.373
1186.5
3,000
¥1.6724
5017.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
SI2304BDS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2304BDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -5A
1:¥5.6048
10:¥4.6217
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
3,000:¥2.0114
参考库存:22298
分立半导体
IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
1:¥42.3411
10:¥35.9566
100:¥31.1993
250:¥29.5834
500:¥26.5889
参考库存:5665
分立半导体
稳压二极管 16V 5MA
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.61472
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32996
参考库存:19027
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥114.0283
10:¥103.6549
25:¥95.8918
50:¥90.6712
参考库存:5524
分立半导体
稳压二极管 16V 3W
1:¥2.7685
10:¥2.0792
100:¥1.12209
1,000:¥0.84524
2,500:¥0.72998
6,000:¥0.68365
参考库存:42286
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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