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分立半导体
TP0610K-T1-E3参考图片

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TP0610K-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存:191,464(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.7798
27.798
100
¥2.0679
206.79
500
¥1.695
847.5
3,000
¥1.1865
3559.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
185 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
TP0
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
TP0610K-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,TP0610K-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
变容二极管 Ls=.7nH SC-79 Single
1:¥5.8421
10:¥5.1528
100:¥3.955
250:¥3.2205
3,000:¥2.2713
6,000:查看
参考库存:57309
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
1:¥1,431.5292
5:¥1,399.6406
10:¥1,370.9838
25:¥1,350.7681
50:¥1,301.6696
参考库存:2396
分立半导体
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.232
500:¥6.3845
800:¥5.0398
2,400:¥4.8138
参考库存:11213
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60A 100V TrenchMOS
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥8.9948
2,000:¥8.9948
参考库存:7115
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H-Bridge-20V
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5994
1,000:¥8.7575
参考库存:36892
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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