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分立半导体
TPS1120DR参考图片

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TPS1120DR

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
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库存:18,770(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
2,500
¥6.7122
16780.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
1.17 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
840 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1120
晶体管类型
2 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1120DR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.7578
500:¥13.2888
参考库存:2297
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 390A
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥967.0314
参考库存:2504
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200mA 30V
1:¥3.2318
10:¥1.8306
100:¥1.06785
500:¥0.86784
3,000:¥0.5537
9,000:查看
参考库存:68586
分立半导体
桥式整流器 6.0 Amp 800 Volt
1:¥33.1203
10:¥29.9676
100:¥24.973
250:¥23.8204
参考库存:4758
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Dual High Curr 500mA 0.35Vf 100mA 40Vrrm
1:¥6.4523
10:¥5.2432
100:¥4.3618
500:¥3.3787
1,000:¥3.0397
3,000:¥3.0397
参考库存:33985
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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