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分立半导体
APT75GN120LG参考图片

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APT75GN120LG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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库存:3,346(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥124.5599
124.5599
10
¥113.2599
1132.599
25
¥104.7284
2618.21
50
¥99.0445
4952.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
Pd-功率耗散
833 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
200 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT75GN120LG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
变容二极管 Ls=.7nH SC-79 Single
1:¥5.8421
10:¥5.1528
100:¥3.955
250:¥3.2205
3,000:¥2.2713
6,000:查看
参考库存:57309
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
1:¥1,431.5292
5:¥1,399.6406
10:¥1,370.9838
25:¥1,350.7681
50:¥1,301.6696
参考库存:2396
分立半导体
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.232
500:¥6.3845
800:¥5.0398
2,400:¥4.8138
参考库存:11213
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60A 100V TrenchMOS
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥8.9948
2,000:¥8.9948
参考库存:7115
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H-Bridge-20V
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5994
1,000:¥8.7575
参考库存:36892
  • 海量现货

    50万现货SKU

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  • 严控渠道

    保证原装正品

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