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分立半导体
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APT75GN120LG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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¥124.5599
124.5599
10
¥113.2599
1132.599
25
¥104.7284
2618.21
50
¥99.0445
4952.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
Pd-功率耗散
833 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
200 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6J502NU,LF
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9,000:¥0.88366
24,000:¥0.81473
45,000:¥0.78422
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参考库存:47557
BZV55C6V8/TR
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1:¥35.5046
10:¥28.589
100:¥26.0465
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500:¥21.0519
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参考库存:47577

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