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分立半导体
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TGF2955

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
46.4 dBm
最大漏极/栅极电压
100 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
41 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
商标
Qorvo
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1112260
商品其它信息
优势价格，TGF2955的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP9NK50ZFP
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.5597
参考库存:4898
MTM861280LBF
Panasonic
分立半导体
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.3844
10:¥2.1244
100:¥1.4577
500:¥1.1865
10,000:¥0.68365
20,000:查看
参考库存:52575
TYN1225RG
STMicroelectronics
分立半导体
SCR 25 Amp 1200 Volt
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥15.2889
500:¥13.447
参考库存:14722
STAC2943
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
1:¥823.7248
5:¥808.5828
10:¥772.1629
25:¥746.4215
参考库存:28871
STD2N80K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
2,500:¥3.6838
10,000:查看
参考库存:15504

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    50万现货SKU

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