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分立半导体
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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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¥2,507.4474
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQ2362ES-T1_GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.5707
参考库存:96843
MADP-011048-TR3000
MACOM
分立半导体
PIN 二极管 5-400MHz >50W Ct=3pF Non-Magnetic
1:¥108.8077
10:¥89.0553
50:¥79.1452
100:¥71.2352
3,000:¥55.4039
参考库存:11970
V40PW45CHM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 If(AV) 40A Vrrm 45V TMBS eSMP Trench MOS
1:¥12.1362
10:¥9.9892
100:¥7.6501
500:¥6.5766
1,000:¥5.763
4,500:¥5.763
参考库存:15852
VS-3EJU06-M3/6A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600V 3A FRED Pt Slim SMA
1:¥4.4522
10:¥3.0397
100:¥2.0566
500:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,500:¥1.13
参考库存:3269
V30DM120CHM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A, 120V, SMPD, TRENCH SKY RECT.
1:¥13.3679
10:¥10.9836
100:¥8.4524
500:¥7.2433
1,000:¥5.7178
2,000:¥5.7178
参考库存:21421

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    50万现货SKU

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