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分立半导体
ALD1105PBL参考图片

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ALD1105PBL

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-14
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.8 mA, 2 mA
Rds On-漏源导通电阻
350 Ohms, 1.2 kOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
MOSFET Small Signal
系列
ALD1105P
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
类型
MOSFET
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
单位重量
1.620 g
商品其它信息
优势价格,ALD1105PBL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VSAT NPN SMT 2.5K
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
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2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
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肖特基二极管与整流器 30A 100V LOW VF
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
800:¥5.2432
参考库存:8389
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
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参考库存:30091
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.07576
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
10,000:¥0.15368
20,000:查看
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分立半导体
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1:¥3.616
10:¥2.712
100:¥1.469
1,000:¥1.10627
6,000:¥0.89157
24,000:查看
参考库存:38300
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    50万现货SKU

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