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分立半导体
RGT40NS65DGTL参考图片

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RGT40NS65DGTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥16.8257
16.8257
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.4469
1144.69
500
¥10.0683
5034.15
1,000
¥8.2942
8294.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
161 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT40NS65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
40 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT40NS65D(LPDS)
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，RGT40NS65DGTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N6326US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥144.5383
200:¥132.6281
500:¥126.2436
参考库存:32244
SET100111
Semtech
分立半导体
整流器 A 1PHHW 90A SFST 150V
10:¥1,030.2662
25:¥1,016.5932
50:¥982.2412
参考库存:32249
JANTXV1N4626-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥88.2869
163:¥88.2869
200:¥80.456
500:¥75.3032
1,000:¥69.0769
参考库存:32254
JAN1N5522C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥101.7339
250:¥92.7504
500:¥86.7501
1,000:¥79.5294
参考库存:32259
JANTX1N4115D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥102.4232
200:¥93.3606
500:¥87.3716
1,000:¥80.1396
参考库存:32264

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    50万现货SKU

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