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分立半导体
IRFR3708TRRPBF参考图片

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IRFR3708TRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
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数量单价合计
3,000
¥4.6104
13831.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
61 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
87 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.6 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
SP001575934
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFR3708TRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSUD400CW20
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200 Volt 400 Amp
1:¥436.5303
5:¥428.4621
10:¥410.7889
25:¥397.9521
参考库存:56852
NVMFS6B03NLWFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T5 100V LL S08FL
1,500:¥22.2836
参考库存:56857
SMAJ4758A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 1W 56Vz 4.5mA 110Ohm 5uA 42.6Vr 0.25mA
7,500:¥0.63054
22,500:¥0.59212
45,000:¥0.53788
参考库存:56862
GBU4M
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1000V 4A Bridge Rectifier
1:¥8.6106
10:¥7.6049
25:¥6.8704
100:¥6.0116
参考库存:56867
IPI70N12S3L12AKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:10010

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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