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分立半导体
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TSM2NB60CH C5G

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库存：32,202(价格仅供参考)
数量单价合计
15,000
¥2.1696
32544
26,250
¥2.1244
55765.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
44 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
12.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.8 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.4 ns
典型接通延迟时间
9.1 ns
单位重量
343.100 mg
商品其它信息
优势价格，TSM2NB60CH C5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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24,000:¥0.56048
45,000:¥0.53788
参考库存:47345

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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