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分立半导体
2SA1163-GRTE85LF参考图片

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2SA1163-GRTE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) VCEO -120V Audio IC -100mA IB 10dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 120 V
集电极—基极电压 VCBO
- 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.3 V
最大直流电集电极电流
- 100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
2SA1163
直流电流增益 hFE 最大值
700
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，2SA1163-GRTE85LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC010NE2LS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
5,000:¥5.8534
参考库存:35054
NJVMJD112G
ON Semiconductor
分立半导体
达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 2A 100V
1:¥5.3788
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.3052
参考库存:11106
PSMN6R0-30YLB,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-CH 30 V 6.5 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
1,500:¥1.9662
参考库存:9983
DU1215S
MACOM
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥360.5378
5:¥324.4908
参考库存:2910
NGTG15N120FL2WG
ON Semiconductor
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V/15A VERY FAST IGBT
1:¥29.3574
10:¥24.8939
100:¥21.5943
250:¥20.5208
参考库存:3892

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    50万现货SKU

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