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分立半导体
CSD18563Q5AT参考图片

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CSD18563Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V NCh NexFET Power MOSFET
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库存:53,609(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6106
861.06
250
¥8.6106
2152.65
500
¥7.5823
3791.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
116 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.75 mm
系列
CSD18563Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
NexFET Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
TPS40170EVM-597
下降时间
1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.4 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
单位重量
86.200 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18563Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳流二极管
50:¥1,175.1096
100:¥1,175.1096
参考库存:34790
分立半导体
MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III
1:¥47.9459
10:¥40.8043
100:¥35.3464
250:¥33.5045
1,000:¥25.3572
2,000:查看
参考库存:9420
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier - 60 V - 240 A - D-67 (HALF PAK)
50:¥345.6218
100:¥341.0114
250:¥321.9596
参考库存:34797
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50:¥1,298.596
参考库存:34802
分立半导体
稳压二极管 Dual Zener Diode 18.8V to 21.2V 8.3mA
暂无价格
参考库存:34807
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    50万现货SKU

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