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分立半导体

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MRF6V2150NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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数量单价合计
1
¥465.0402
465.0402
5
¥451.5141
2257.5705
10
¥441.83
4418.3
25
¥423.3093
10582.7325
500
¥364.0634
182031.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
25 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Drain Dual Gate
高度
2.64 mm
长度
17.58 mm
工作频率
220 MHz
系列
MRF6V2150N
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.62 V
零件号别名
935316842528
单位重量
1.646 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V2150NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 43 Volt 0.5W 5%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.35369
参考库存:20588
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.4068
参考库存:226725
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 300mW
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:124582
分立半导体
MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:380864
分立半导体
稳压二极管 33V 500mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:79661
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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